[FETV=최남주 기자] 삼성전자가 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다.

FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, MRAM은 비휘발성이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다.

이같은 두가지 기술이 합쳐져 전력을 적게 소모하면서 속도도 매우 빠르고, 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리가 만들어졌다는 게 삼성전자 측 설명이다.

삼성전자의 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 1000배가량 빠른 쓰기 속도를 구현한다.

또 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않는다. 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어난 게 매력이다.

삼성전자의 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 갖고 있다. 기존 로직 공정 기반으로 만들어 고객들의 부담을 줄이고 생산비용도 낮출 수 있다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다" 고 말했다.

이 상무는 또 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용하여 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것" 이라고 덧붙였다.

삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 '28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM' 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 가진다.

삼성전자는 연내 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대, 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 방침이다.