[FETV=나연지 기자] SK하이닉스가 차세대 AI용 메모리 ‘HBM4’ 개발을 완료하고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.

HBM4는 기존 HBM3E 대비 데이터 전송 통로(I/O)를 2048개로 늘려 대역폭을 2배 확장하고, 전력 효율을 40% 이상 높인 것이 특징이다. 회사는 이 제품 도입 시 AI 서비스 성능이 최대 69% 향상될 수 있으며, 데이터센터 전력 비용 절감 효과도 기대된다고 설명했다. 또 JEDEC 표준 속도(8Gbps)를 뛰어넘는 10Gbps 이상을 구현해 글로벌 최고 수준 성능을 입증했다.

이번 개발에는 10나노급 5세대(1bnm) D램과 SK하이닉스의 고유 공정인 ‘어드밴스드 MR-MUF’가 적용됐다. 해당 공정은 적층 과정에서 압력을 줄이고 휨 현상을 억제해 양산 안정성을 확보하는 기술로, HBM 생태계에서 차별성을 인정받고 있다.

조주환 HBM개발담당 부사장은 “HBM4 개발 완료는 업계의 새로운 이정표”라며 “성능과 전력 효율, 신뢰성을 모두 갖춘 제품을 적시에 공급해 경쟁 우위를 확보하겠다”고 말했다.

김주선 AI Infra 사장 CMO은 “HBM4 양산 체제 구축은 AI 인프라의 한계를 돌파하는 전환점”이라며 “풀 스택 AI 메모리 공급자로 성장하겠다”고 강조했다.