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산업


삼성전자·SK하이닉스, 1분기 R&D·투자 확대..."반도체 업황 회복 영향"

[FETV=허지현 기자] 반도체 업황이 회복세를 보이면서 '삼성전자'와 'SK하이닉스'가 올해 1분기에 연구개발(R&D) 비용과 시설 투자를 늘린다.

 

각 기업이 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 R&D 비용으로 7조8201억 원을 집행했다. 이는 작년 동기 대비 6조5790억 원 대비 19% 증가한 수준으로 1분기 기준 역대 최대 규모다. 삼성전자는 반도체 업황이 최악이었던 작년 1분기에도 R&D 비용을 전년 동기보다 11% 늘렸는데, 올해 1분기에는 비용 증가 폭이 더 커졌다.

삼성전자는 "1분기 중 DS 부문 및 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설투자가 이뤄졌다"며 "2024년 글로벌 시황 개선에 대비해 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 점검하고, 투자 효율성 제고로 내실을 다지는 활동도 병행할 계획"이라고 말했다.

 

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 2조9430억 원으로 작년 동기의 1조7480억 원 대비 1조2000억 원가량, 약 68% 급증했다. 또한 올해 1분기에 R&D 비용으로 1조1090억 원을 썼다. 작년 1분기의 1조895억 원보다는 2%가량 올랐다.

 

SK하이닉스 측은 주요 연구개발 실적으로 세계 최초로 양산을 시작한 4세대 고대역 폭메모리(HBM) HBM3E, 온디바이스 인공지능(AI) PC용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSDB) 제품 'PCB01' 등을 소개했다.