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전자


배용철 삼성전자 부사장, '맞춤형 HBM' 강화..."AI 기술로 메모리 한계 극복"

-클라우드·온디바이스 AI·차량 등 인공지능(AI) 적용 메모리 라인업 강화
-차세대 HBM4부터 버퍼 다이에 선단 로직 공정 활용 예정 '고객 요구 대응'

[FETV=허지현 기자] 미래 산업을 주도해나갈 기술력을 더욱 키워나갈 행보가 이어지고 있다. 올해 산업 핵심 키워드로 '인공지능(AI)', '반도체', '미래 모빌리티', '온디바이스', '클라우드' 등이 제시되면서 그 영역에 대한 중요도도 높아지는 상황이다.

 

AI 기술의 활용이 더욱 폭넓어지면서, 디바이스 수준에서의 로컬 AI 추세도 강화될 것으로 기대된다. 배 부사장은 이와 관련해, 최근 노트북 PC를 위한 LPCAMM 모듈을 개발해 노트북 설계에서 새로운 패러다임을 제시한 바 있다. 이어 각 시스템 유형에 최적화된 메모리 솔루션으로 최고의 성능을 제공할 것이라는 의견도 더했다.

 

배용철 삼성전자 부사장은 클라우드·온디바이스 AI·차량 등 인공지능(AI)이 적용되는 응용처별 메모리 라인업 강화에 총력을 기울인다. 맞춤형 HBM(Custom HBM) 기술을 소개, 메모리와 파운드리 등 종합 역량을 바탕으로 고객사의 요구를 충족하는 AI 솔루션을 제공한다.

 

그는 반도체 업계를 넘어 IT 생태계 전반에서 시장이 요구하는 솔루션 제공을 위해 지속적으로 협력해야 한다는 의견을 제시했다. 인공지능(AI) 시대로의 진입과 함께 컴퓨터 성능의 중요성이 높아지고 있고, 성능 극복을 위한 프로세서와 메모리의 관계도 그 어느때보다 중요하다는 관점을 강조했다.

 

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 “삼성전자는 AI 시장 대응을 위해 DDR5와 HBM(고대역폭메모리), CMM(CXL 메모리 모듈) 등 응용별 요구 사항에 기반한 메모리 포트폴리오를 시장에 제시하고 공급 중”이라고 말했다.

 

배 부사장은 삼성전자가 메모리 패러다임 변화를 이끌어 갈 기술로 '맞춤형 HBM D램', 대역폭과 용량을 확장할 수 있는 'CMM D램', 'PIM(지능형 반도체)', 'SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 구독 서비스' 등을 꼽았다. HBM D램은 AI 플랫폼의 성장으로 고객 맞춤형 HBM(고대역폭 메모리)에 대한 요구가 증가하고 있다. 이에 맞춤형 HBM D램이 향후 메모리 반도체 기술 한계 극복을 위한 돌파구 역할을 할 것이라고 내다봤다.

 

배 부사장은 “고객들의 개별 요구에 대응하기 위해 차세대 HBM4부터 버퍼 다이에 선단 로직 공정을 활용할 예정”이라며 “삼성전자가 보유한 메모리와 파운드리, 시스템 LSI 등 종합 역량과 차세대 D램 공정과 패키지 기술로 새로운 시장 변화에 맞춰 최적의 솔루션을 제공할 것”이라고 전했다.

 

삼성전자는 지난해 연말 조직개편에서 메모리사업부에 컨트롤 타워 역할을 할 메모리 상품기획실을 신설했다. 상품기획실은 ‘비즈니스 코디네이터 전문가 조직’을 표방하고, 제품 기획부터 사업화 단계까지 전 영역을 담당하며 고객 기술 대응 부서들을 하나로 통합해 만든 조직이다.

 

배 부사장은 “대내외 컨트롤 타워 역할을 수행할 예정이며, 중장기 로드맵 기반으로 기술 선행 준비 등 새로운 도약을 위한 미래 준비에 집중할 계획”이라며 “삼성전자는 다가오는 세계 최대 가전·IT 전시회 ‘CES 2024′에서도 AI용 최첨단 메모리 솔루션을 공개하고, 삼성전자의 메모리 기술력을 선보일 것”이라고 덧붙였다.