[FETV=이신형 기자] AI 반도체 경쟁이 고대역폭 메모리(HBM) 중심으로 확대되는 가운데 삼성전자가 차세대 HBM 기술을 공개하며 엔비디아와의 협력 확대에 나섰다.

삼성전자는 16일부터 19일까지(현지 시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 Vera Rubin 플랫폼을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 공개했다고 17일 밝혔다.

삼성전자는 이번 행사에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 해당 제품은 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 공정을 기반으로 개발됐다.

삼성전자에 따르면 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭을 지원한다. 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 결합한 구조가 적용됐다.

삼성전자는 행사 전시 공간에 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해 HBM4 기술 경쟁력을 강조했다. 메모리와 로직 설계, 파운드리, 패키징을 아우르는 종합 반도체 기업(IDM) 역량도 함께 소개했다.

차세대 패키징 기술도 공개했다. 삼성전자는 열 압축 접합 방식(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 선보였다.

또 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼을 지원하는 메모리 토털 솔루션도 전시했다. Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763을 플랫폼과 함께 공개했다.

삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈이다. 삼성전자에 따르면 해당 제품은 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로 활용된다. 삼성전자는 행사 부스에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 시연했다.

삼성전자는 AI 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 Vera Rubin 플랫폼에 적용되는 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 SSD PM1753을 공급할 계획이다.

행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청으로 발표에 나선다. 송용호 삼성전자 AI센터장은 발표를 통해 AI 인프라 혁신을 위한 삼성 메모리 토털 솔루션 비전을 소개할 예정이다.

삼성전자는 "AI Factory 혁신을 위해서는 Vera Rubin 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적"이라며 "이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정"이라 밝혔다. 이어 "삼성과 엔비디아 양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라 덧붙였다.