[FETV=정해균 기자] SK하이닉스가 2세대 10나노급(Iy) 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8Gbit(기가비트) DDR D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

이번에 개발된 2세대 제품은 1세대(1x) 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐으며, 전력소비도 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율을 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다.

특히 SK하이닉스는 데이터 전송속도를 높이기 위해 '4페이즈 클로킹(Phase Clocking)' 설계기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존 대비 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 원리라고 할 수 있다.

아울러 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자 기술인 '센스 앰프'도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장돼있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화하는 기술이다. D램에서는 센스 앰프의 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이런 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다.

SK하이닉스는 PC와 서버시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에서 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용한다는 방침이다.

김석 SK하이닉스 D램마케팅담당 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품"이라면서 "내년 1분기부터 공급에 나서 시장수요에 적극적으로 대응할 것"이라고 말했다.